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    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订535个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订535个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA50R280CEXKSA2 起订613个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA50R280CEXKSA2 起订613个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":500,"23+":500}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA50R280CEXKSA2

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.4W

    阈值电压:3.5V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:773pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8656-TL-H 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8656-TL-H 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8656-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-W 起订709个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-W 起订709个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4949EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4949EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4949EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2211T1M-T1-AT 起订444个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2211T1M-T1-AT 起订444个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":15000,"17+":11367}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2211T1M-T1-AT

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.9nC@4.5V

    输入电容:1.35nF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":423,"18+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86551L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86551L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86551L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订306个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订306个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI8N60CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8653-TL-H 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8653-TL-H 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3000,"14+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8653-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6890A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6890A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4040SSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4040SSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4040SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:17.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@20V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N和P沟道互补型

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR698DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€23W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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