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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 120mA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135IXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:98pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP5322K1-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP5322K1-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP5322K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:220V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610-G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610-G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6433XTMA1 起订571个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6433XTMA1 起订571个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":18655}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125L6327HTSA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125L6327HTSA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":343141}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125L6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2535N3-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2535N3-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2535N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:350V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS0610 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS0610 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6906XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6906XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135H6906XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610-G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610-G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS0610 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS0610 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610-G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610-G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP0610T-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP0610T-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP0610T-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N3-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N3-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2540N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6327XTSA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6327XTSA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP5322K1-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP5322K1-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP5322K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:220V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS0610 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS0610 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6433XTMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135H6433XTMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":18655}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP135IXTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP135IXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:98pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    导通电阻:45Ω@120mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP0610T-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP0610T-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP0610T-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP125H6433XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.3V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:120mA

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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