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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3145N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:60Ω@100mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K16CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K1T2R

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FUTE85LF 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FUTE85LF 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N16FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"14+":6000,"17+":117000,"20+":10242}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01S-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01S-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":51000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01S-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7B 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7B 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01SS-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01SS-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":76000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01C-TB-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01C-TB-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":165000,"12+":1000,"16+":9000,"18+":28421,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01C-TB-E

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5HN01M-TL-H 起订1496个装
    onsemi Mosfet场效应管 5HN01M-TL-H 起订1496个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":222000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5HN01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.2pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订1149个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订1149个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA503T-T1-A

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@1μA

    ECCN:EAR99

    输入电容:17pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:60Ω@10mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01S-K-TL-E 起订1496个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01S-K-TL-E 起订1496个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":138000,"13+":5876,"16+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01S-K-TL-E

    工作温度:150℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FE,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FE,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N16FE,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订16个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订16个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K17FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@10mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K1T2R

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K16CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01M-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01M-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":57000,"14+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2SK3019-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 2SK3019-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3019-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AFU,LF 起订75000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AFU,LF 起订75000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 2SK3019TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 2SK3019TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3019TL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K1T2R

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订9个装
    ROHM Mosfet场效应管 RE1C001UNTCL 起订9个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RE1C001UNTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.1pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K48FU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K48FU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K48FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15.1pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01M-TL-E 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01M-TL-E 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":57000,"14+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-H 起订2244个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-H 起订2244个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":1414718,"14+":6000,"18+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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