采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：100，"05+"：181600，"08+"：346，"11+"：1000，"12+"：47030，"15+"：5000，"9999"：20，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：30000，"21+"：6000，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：100，"05+"：181600，"08+"：346，"11+"：1000，"12+"：47030，"15+"：5000，"9999"：20，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6898LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@100V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@2.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：29629，"13+"：93000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8320-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.761nF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6898LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
