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    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@10V,4.75A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":100,"05+":181600,"08+":346,"11+":1000,"12+":47030,"15+":5000,"9999":20,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP10N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@4.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N20C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N20C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@4.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H 起订465个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H 起订465个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":30000,"21+":6000,"22+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8309-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD62666E 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD62666E 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD62666E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD62666E 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD62666E 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD62666E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":100,"05+":181600,"08+":346,"11+":1000,"12+":47030,"15+":5000,"9999":20,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP10N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@4.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6898LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8320-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8320-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":29629,"13+":93000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8320-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48.3nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2712pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD62666E 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD62666E 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD62666E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.5mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB10XNX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB10XNX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€12.5W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.761nF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6898LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6898LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.28W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8309-TL-H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8309-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48.3nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2712pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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