品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG55P02A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:149nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6358pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG55P02A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:149nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6358pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1910,"23+":84930,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0
功率:60W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
输入电容:5.33nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7176,"22+":9457}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0
功率:60W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
输入电容:5.33nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":46,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7219-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2108pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG55P02A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:149nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6358pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6668TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: