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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3040KLHRC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3040KLHRC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11

    工作温度:175℃

    功率:262W

    阈值电压:5.6V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1337pF@800V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG55P02A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€38W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:149nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6358pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG55P02A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€38W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:149nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6358pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L045N065SC1 起订45个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L045N065SC1 起订45个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1910,"23+":84930,"MI+":1800}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4.3V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@325V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L045N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L045N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4.3V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@325V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 HAT2165N-EL-E 起订175个装
    RENESAS Mosfet场效应管 HAT2165N-EL-E 起订175个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"4H+":2365}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@4.5V

    输入电容:5.18nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8050 起订560个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8050 起订560个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8050

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3V@750µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22610pF@15V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@55A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0329DPB-01#J0 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0329DPB-01#J0 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:5.33nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6668TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6668TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6668TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€89W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 2SK3058-Z-E1-AZ 起订500个装
    NEC Mosfet场效应管 2SK3058-Z-E1-AZ 起订500个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1000}

    包装规格(MPQ):156psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2.1nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6668TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6668TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":7176,"22+":9457}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6668TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€89W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0329DPB-01#J0 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0329DPB-01#J0 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":18856,"MI+":400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0329DPB-01#J0

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    输入电容:5.33nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7219-55A,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7219-55A,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":46,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7219-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2108pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG55P02A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€38W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:149nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6358pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6668TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6668TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6668TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€89W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 HAT2165N-EL-E 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 HAT2165N-EL-E 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"4H+":2365}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@4.5V

    输入电容:5.18nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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