品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A16DN8QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.81W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1021pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":53879}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB75UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3435
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3435
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA2002NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA2002NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB75UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":27054,"13+":40000,"15+":74150,"9999":750}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N80Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:111mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA2002NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: