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    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA3023PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A16DN8QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1021pF@30V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3409-AU_R1_000A1 起订7个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3409-AU_R1_000A1 起订7个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:396pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB75UPEZ 起订2392个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB75UPEZ 起订2392个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":53879}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB75UPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:317mW€8.33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3435 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3435 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3435 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3435 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA2002NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA2002NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA2002NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA2002NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA2002NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA2002NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4102PT1G 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4102PT1G 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4102PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@16V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3993CDV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3993CDV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:111mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB75UPEZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB75UPEZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB75UPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:317mW€8.33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA3023PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N80Z-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":27054,"13+":40000,"15+":74150,"9999":750}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N80Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3993CDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3993CDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3993CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:111mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA2002NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA2002NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA2002NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3409_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3409_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3409_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:396pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3409-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3409-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:396pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3435 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3435 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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