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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 12A
    当前匹配商品:1200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R095C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R095C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10090BLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200B211 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200B211 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF200B211

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R095C7XKSA1 起订136个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R095C7XKSA1 起订136个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":40,"19+":763}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R299CPXKSA1 起订377个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP50R299CPXKSA1 起订377个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":514,"15+":500,"16+":6000,"17+":3218,"18+":19500,"19+":5500,"9999":350,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP50R299CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280PFD7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280PFD7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:4.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:656pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO201SPHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO201SPHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTP3055VL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R099C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R099C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA008P20LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4383pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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