品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R115CFD7AUMA1
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:22A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15031}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6246-75C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5420,"19+":13500,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA20N50-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1373,"16+":16000,"18+":18463,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB22N03S4L15ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":381,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA20N50-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065D
工作温度:-40℃~175℃
功率:98W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":381,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA20N50-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5420,"19+":13500,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA20N50-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2320pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH22N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:5.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2320pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: