品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG311N
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@4.5V
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP25DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:441pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:441pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":150000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R3K3P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:120pF@500V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@590mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":999,"19+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP171PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP25DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7465TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@1.14A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7465TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@1.14A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:441pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7465TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@1.14A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7465TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@1.14A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7465TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@1.14A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: