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    onsemi Mosfet场效应管 NTHL050N65S3HF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL050N65S3HF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:378W

    阈值电压:5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5017pF@400V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@29A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订103个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订103个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2369}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60R217 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60R217

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK3R1P04PL,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4670pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@29A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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