采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23452，"16+"：126}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP100，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：255925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB43UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23452，"16+"：126}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP100，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2370，"16+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：303000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV52ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：630mW€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV52ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：630mW€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB43UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：84000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：538907，"17+"：22500，"16+"：41500，"MI+"：665，"18+"：2011}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：16630，"04+"：2000，"10+"：9450，"11+"：100，"16+"：50，"17+"：480，"18+"：1500，"19+"：30800，"MI+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP03N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5.5V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100XPEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：550mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：122mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
