品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":23452,"16+":126}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP100,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":685,"07+":255925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3101FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB43UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":23452,"16+":126}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP100,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2370,"16+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU60R1K4C6AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:28.4W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@100V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":303000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV52ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:630mW€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV52ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:630mW€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB43UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":84000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50UPE,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":538907,"17+":22500,"16+":41500,"MI+":665,"18+":2011}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP03N60C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.3V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50UPE,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:66mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":16630,"04+":2000,"10+":9450,"11+":100,"16+":50,"17+":480,"18+":1500,"19+":30800,"MI+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP03N60S5XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5.5V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB100XPEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:550mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:122mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: