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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 8A
    当前匹配商品:1100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ALPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ALPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840ALPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1018pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC150N03LDGATMA1 起订1120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC150N03LDGATMA1 起订1120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC150N03LDGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.9V@470µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9362TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9362TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9362TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":75,"08+":342}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订681个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订681个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7328TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2675pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1 起订479个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1 起订479个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":19480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FCP850N80Z 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP850N80Z 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP850N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:136W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1315pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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