品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3ET
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:13.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU360N65S3R0
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@5.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87503Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:13.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4265,"20+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R360PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:23W
阈值电压:4.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2014C
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:143W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R230C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:67W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2214
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:238pF@40V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: