品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14A€52A
导通电阻:11mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:3.8nC@4.5V
功率:3W
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@12.5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14A€52A
导通电阻:11mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:3.8nC@4.5V
功率:3W
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@12.5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€52A
功率:3W€40W
输入电容:997pF@25V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@30µA
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14A€52A
导通电阻:11mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:3.8nC@4.5V
功率:3W
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@12.5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: