采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
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功率：3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14A€52A
导通电阻：11mΩ@10A，10V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：3.8nC@4.5V
功率：3W
ECCN：EAR99
输入电容：530pF@12.5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14A€52A
导通电阻：11mΩ@10A，10V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：3.8nC@4.5V
功率：3W
ECCN：EAR99
输入电容：530pF@12.5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：14A€52A
功率：3W€40W
输入电容：997pF@25V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.2V@30µA
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14A€52A
导通电阻：11mΩ@10A，10V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：3.8nC@4.5V
功率：3W
ECCN：EAR99
输入电容：530pF@12.5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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