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    连续漏极电流
    200mA 4.5A 30A€18A 6.5A€4.2A 1.34A€1.14A 2.5A 800mA 30A 8.5A 2A 850mA 170mA 700mA€500mA 500mA€3.9A 8.5A€7A 3.5A€2.3A 1.3A 3.7A€2.6A 3.8A€2.5A 2.7A€1.9A 4.5A€3.5A 4A 3.4A€2.8A 1.03A€700mA 6A 220mA€200mA 4.7A€3.4A 500mA€410mA 5.3A 305mA€190mA 800mA€550mA 1.07A€845mA 7A€5.1A 5.1A€3.1A 1.5A 870mA€640mA 650mA€450mA 115mA€130mA 500mA€360mA 6.8A 8A 650mA 330mA€170mA 2.6A€2.3A 400mA€220mA 220mA€410mA 5A€4A 6A€5A 4.9A€4.1A 2A€1.5A 6.6A€6.8A 2.7A€2A 725mA€500mA 450mA€310mA 485mA€370mA 3.4A€2.6A 350mA€200mA 7.3A€5.3A 4.7A€3.5A 7A€5A 6A€3.4A 7.8A€6.3A 6.8A€5.8A 6A€4.3A 8.2A€6.2A 5.6A€3.8A 700mA€600mA 630mA€775mA 4A€3A 8A€7A 8.1A€7A 540mA€430mA 9A€6.5A 6.7A€6.1A 1.6A€1.4A 6.2A€4.4A 1.5A€1.3A 5.3A€3.9A 180mA€145mA 4.5A€3.2A 750mA€600mA 6.4A€4.5A 3.7A€3.1A 6A€4A 6.5A€5A 340mA€180mA 6.1A€5.2A 250mA€880mA 400mA€1.5A 2.4A€900mA 3.57A€2.5A 9A€60A€5A€36A 1.5A€1A 2.9A€3.2A 2.5A€1.7A 2.6A€1.9A 15A€9.5A 2.5A€2A 4A€3.7A 180mA€100mA 8.6A€7.3A 4A€3.4A 3.8A€2.6A 12A€9A 8.6A€6.2A 6A€4.5A 5A€4.5A 7A€5.5A 510mA€340mA 3A€2.2A 400mA€200mA 3.4A€2.7A 4.5A€3A 4A€3.1A 500mA€330mA 3.9A€2.1A 24A€18A 700mA€700mA€400mA€500mA 680mA€460mA 950mA€530mA 18A€15A 10A€8A 3.9A€3.7A 220mA€120mA 5A€5.5A 11.6A€9A 3.5A€9.5A€2.2A€5A 5.2A€3.4A 10A€9.2A 3.9A€3.5A 5.5A€4A 455mA€328mA 2.2A€1.8A 160mA€140mA 2.6A€2.2A 9.5A€6.9A 6.8A€4.6A 9.3A€5.6A 1.4A€1A 3A€3.5A 1.8A€1.5A 750mA€660mA 2.9A€4.1A€2.4A€3.3A 2.9A€2.2A 3.1A€2A
    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    类型: N和P沟道
    当前匹配商品:2300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@15V€528pF@15V

    连续漏极电流:7.3A€5.3A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9952TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.5A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC6320K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V€125pF@25V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W€3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX6020CAKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX6020CAKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V€36pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCPB5530X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@15V€528pF@15V

    连续漏极电流:7.3A€5.3A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7509TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:110mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6635-TL-H 起订2137个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6635-TL-H 起订2137个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":366000,"16+":2918,"17+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6635-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:400mA€1.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA€330mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 US6M2TR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 US6M2TR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6M2TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@10V

    连续漏极电流:1.5A€1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:240mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:12A€9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMC1300R2 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMC1300R2 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2500,"04+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMC1300R2

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@20V

    连续漏极电流:2.2A€1.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ500AEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ500AEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ500AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:27mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFC013NP10M5L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFC013NP10M5L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€102W

    阈值电压:3V@158µA€4V@158µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V

    连续漏极电流:9A€60A€5A€36A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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