采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG311N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：75000，"16+"：4550，"22+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：25350，"10+"：7987，"11+"：1197，"12+"：20881，"15+"：1319，"16+"：489，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4820NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：25350，"10+"：7987，"11+"：1197，"12+"：20881，"15+"：1319，"16+"：489，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4820NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4424ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@200mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3800N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：668206}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：807psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
