采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200B211
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：438，"16+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6212-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9521，"18+"：837，"19+"：15000，"21+"：50，"9999"：208，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2865}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：45P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@20V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：121654}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：45P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@20V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：45P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@20V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：111，"22+"：5243}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200B211
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：45P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@20V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2865}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：438，"16+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6212-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94CFTU
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9521，"18+"：837，"19+"：15000，"21+"：50，"9999"：208，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：121654}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
