采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165000，"12+"：1000，"16+"：9000，"18+"：28421，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD5110NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：294mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3154NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：2990，"20+"：3000，"21+"：2758416，"22+"：88822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV27，215
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1035X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：400mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：180mA€145mA
类型：N和P沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS223PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，235
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，235
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601VKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：104400，"12+"：103691，"13+"：134453}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
