品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2352pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:22.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD350N06LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@30V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2182,"19+":2484,"21+":970,"22+":4953,"23+":111800,"24+":3119,"MI+":3339}
包装规格(MPQ):434psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S308ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":11654}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW70R950CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: