采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC50APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：180W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.11mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25N60X5，S1F
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFJ26N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2220pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@43A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ90S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
