采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3907pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9226-75A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：24.6mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：38.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7240-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2293pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：46，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7219-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2108pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9226-75A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：24.6mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9226-75A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：24.6mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
