采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8242TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：653pF@10V
连续漏极电流：9.9A€21A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@8.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2260，"23+"：6790}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0589NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：16.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4023SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：8.8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4023SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5069}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A€13A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：14.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
