品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA26N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@13A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3205Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800,"9999":48}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3350,"12+":1300,"14+":2226,"21+":12500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS244ZE3043AKSA2
工作温度:-40℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@19A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@66A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2905}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":609}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP15N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA26N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@13A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3954pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"9999":666,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS244ZE3062AATMA2
工作温度:-40℃~175℃
功率:170W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@19A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4905STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@42A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: