品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: