品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10,"17+":200}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3480-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€84W
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DSP-00#J0
工作温度:150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":28080}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK4006DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":28080}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK4006DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1012}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60D7DPQ-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:190ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:600µJ
开启延迟时间:60ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:130nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€36W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1538}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60D1DPP-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:42ns
反向恢复时间:70ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,10A
导通损耗:100µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3812-ZP-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€213W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16800pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":44800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:34.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0602N-S19-AY
工作温度:150℃
功率:1.5W€156W
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7730pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: