采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
漏源电压：80V
功率：1.6W
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP12N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2.29nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB118N085Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：118A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@59A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
