采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
输入电容：7.6nF@25V
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：195A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
输入电容：7.6nF@25V
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：195A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT9166T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：186nC@Vgs=10V
输入电容：11.636nF@Vds=100V
连续漏极电流：114A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@Vds=100V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT9166T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：186nC@Vgs=10V
输入电容：11.636nF@Vds=100V
连续漏极电流：114A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@Vds=100V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT9166T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：186nC@Vgs=10V
输入电容：11.636nF@Vds=100V
连续漏极电流：114A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@Vds=100V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2804STRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@10V，75A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB140NF55T4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP260MPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.057nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，28A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2233
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N65
连续漏极电流：20A
反向传输电容：15pF@25V
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
功率：300W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
