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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ184ER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:240nC@10V

    输入电容:16.009nF@25V

    连续漏极电流:430A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12T 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12T 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:8mΩ@10V,35A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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