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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002AT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK003N06T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2463T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ015N06TR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€210W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR030N06TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020N06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
