品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K32HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K32HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K32HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K32HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K32GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: