品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT10N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17W
阈值电压:2V
栅极电荷:4.3nC@10V
输入电容:206pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.4pF@50V
导通电阻:115mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC252N10NSF G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:2V
栅极电荷:17nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:19.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
栅极电荷:1.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:10Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC252N10NSF G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:2V
栅极电荷:17nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:19.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT10N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17W
阈值电压:2V
栅极电荷:4.3nC@10V
输入电容:206pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.4pF@50V
导通电阻:115mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT10N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17W
阈值电压:2V
栅极电荷:4.3nC@10V
输入电容:206pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.4pF@50V
导通电阻:115mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":8926,"22+":38958}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170mA
类型:MOSFET
导通电阻:10Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:2V
栅极电荷:68nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:90A
类型:MOSFET
导通电阻:5.3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC252N10NSF G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:2V
栅极电荷:17nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:19.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: