品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL90N65G2V
工作温度:-55℃~175℃
功率:935W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:157nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:24Ω@40A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:290W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1230pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030MNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020FNJTL
工作温度:150℃
功率:304W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ220N25TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW35N65G2V
工作温度:-55℃~200℃
功率:240W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:73nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,20V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTH35N65G2V-7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:73nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,20V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH76N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:388W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:94nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH12N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4080pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1U330AAFRGTL
工作温度:150℃
功率:211W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:388W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:94nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002ANX
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3U060CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX300N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: