品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
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规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
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规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
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规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
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功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
包装方式:Reel
漏源电压:40V
栅极电荷:40nC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
连续漏极电流:35A
导通电阻:7.6mΩ
阈值电压:1.2V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: