品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3ENX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:914pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN010-30QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:28A€10.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544
功率:23W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NS
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LG
功率:56W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LS
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544
功率:23W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LG
功率:31W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.1nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2个N沟道
导通电阻:8mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.425nF@15V
连续漏极电流:30A€25A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN6R2-25QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€40.3W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.5nC@10V
输入电容:1.2nF@12.5V
连续漏极电流:13.1A€65A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.2mΩ@13.1A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NS
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544
功率:23W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NS
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N03LSG
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544
功率:23W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":196520}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544
功率:23W
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: