品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0025120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:463W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2.788nF@1000V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0025120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:463W
阈值电压:2.4V@10mA
栅极电荷:161nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2.788nF@1000V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0025120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:463W
阈值电压:2.4V@10mA
栅极电荷:161nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2.788nF@1000V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0025120D
输入电容:2.788nF@1000V
导通电阻:34mΩ@50A,20V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:90A
阈值电压:2.4V@10mA
功率:463W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:161nC@20V
漏源电压:1.2kV
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
输入电容:300pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
阈值电压:2.4V@10mA
包装方式:袋
导通电阻:300mΩ@3A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N3-G
包装方式:袋
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
输入电容:300pF@25V
导通电阻:300mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
功率:1W
类型:N沟道
阈值电压:2.4V@10mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N3-G
输入电容:500pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
阈值电压:2.4V@10mA
功率:740mW
包装方式:袋
导通电阻:350mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0025120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:463W
阈值电压:2.4V@10mA
栅极电荷:161nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2.788nF@1000V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN3205N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
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导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存: