采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC40SM120JCU3
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：206W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：206W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：7.8nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.7V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：400pF@30V
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
连续漏极电流：5.5A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：206W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：206W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：206W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
