品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1816,"22+":974}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1816,"22+":974}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€115W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:19A€103A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: