销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2922
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€17W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@50V
连续漏极电流:3.5A€7A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:112pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D385-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.4A€3.7A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:112pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT280ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D385-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.4A€3.7A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6482
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€63W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5.5A€28A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:112pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6482
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€63W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5.5A€28A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT280ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6482
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€63W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5.5A€28A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: