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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1150pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：14.5nC@10V
连续漏极电流：60A
功率：66W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1150pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：14.5nC@10V
连续漏极电流：60A
功率：66W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1150pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：14.5nC@10V
连续漏极电流：60A
功率：66W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
