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    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:22.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5DT

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:22.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5DT

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订12个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订12个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87588N 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87588N 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87588N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:736pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6792 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6792 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6792

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€48W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3110pF@15V

    连续漏极电流:44A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17552Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17552Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87381P 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87381P 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87381P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:564pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:16.3mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87384MT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87384MT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87384MT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:7.7mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG16P03-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG16P03-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG16P03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16403Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16403Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16403Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15571Q2 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15571Q2 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15571Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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