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    品牌: DIODES
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2V@250µA
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:600+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:300mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-13-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-13-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    连续漏极电流:230mA

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:300mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    类型:N沟道

    功率:430mW

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:10.8A

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LPS-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LPS-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.3W

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:10.6A€87A

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-7-F 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-7-F 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    连续漏极电流:230mA

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8L-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:370mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    连续漏极电流:310mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.2W€60W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002AQ-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    功率:370mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-7-F 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-7-F 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    连续漏极电流:230mA

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LT-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-7-F

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    连续漏极电流:230mA

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.08W€19.2W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:11A€34A

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.2W€60W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:430mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    栅极电荷:41.3nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:2090pF@30V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:15A€80A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LPS-13

    连续漏极电流:11.76A€89.5A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2.8W€136W

    栅极电荷:15.6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:10.8A

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LT-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-13-F 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-13-F 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:230mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.08W€19.2W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:11A€34A

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:300mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.2W€60W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    类型:N沟道

    功率:430mW

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:0.115A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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