品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
连续漏极电流:230mA
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
导通电阻:3Ω@115mA,10V
类型:N沟道
功率:430mW
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:10.6A€87A
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
连续漏极电流:230mA
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8L-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:370mW
栅极电荷:0.87nC@10V
连续漏极电流:310mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002AQ-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:23pF@25V
功率:370mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
连续漏极电流:230mA
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LT-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:23pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
连续漏极电流:230mA
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.08W€19.2W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11A€34A
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LDWQ-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
导通电阻:3Ω@115mA,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:430mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
栅极电荷:41.3nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:2090pF@30V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:15A€80A
导通电阻:6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LPS-13
连续漏极电流:11.76A€89.5A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2.8W€136W
栅极电荷:15.6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LT-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:23pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:230mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.08W€19.2W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11A€34A
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
导通电阻:3Ω@115mA,10V
类型:N沟道
功率:430mW
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:23pF@25V
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:0.115A
类型:N-Channel
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: