采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LAT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LAT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LAT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB33N10LTM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€127W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB33N10LTM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€127W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LAT4
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：40nC@5V
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：60A
输入电容：1950pF@25V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB33N10LTM
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：40nC@5V
类型：N沟道
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：33A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：3.75W€127W
导通电阻：52mΩ@16.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LAT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD60NF55LAT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
