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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
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工作温度：-55℃~150℃
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
漏源电压：80V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
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