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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:386pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404LQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404LQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LW-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LW-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-13 起订42个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-13 起订42个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002AQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订53个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订53个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3026LVT-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3026LVT-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3026LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@15V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LDM-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LDM-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.12W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:404pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订71个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订71个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订94个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订94个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4496SSS-13 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4496SSS-13 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4496SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:493.5pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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