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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
输入电容：1273pF@100V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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