采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTB6412ANG
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
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规格型号(MPN)：NTB6412ANG
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：100nC@10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
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连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：50，"13+"：700，"14+"：4125，"18+"：125，"19+"：244，"22+"：52，"9999"：150，"MI+"：1700}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
栅极电荷：100nC@10V
功率：167W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：3500pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM100N06CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4382pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：7810}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
栅极电荷：100nC@10V
功率：167W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：3500pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：1417pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
