品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9530GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7769L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11560pF@25V
连续漏极电流:20A€124A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4468PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:540nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19860pF@50V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@180A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3790pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3910PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF510PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@5.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7810}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6412ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD70090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1950pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":358,"22+":12876,"23+":6227,"24+":14425}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU120NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8010STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:260W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3830pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: