采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
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输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
