采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：28853}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：28853}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
