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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2582pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2582pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2582pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB36NM60ND
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
输入电容：2785pF@50V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB36NM60ND
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
输入电容：2785pF@50V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
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